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编辑:电脑系统网 2024-10-31 来源于:电脑系统网
电脑系统网 10 月 31 日消息,三星电子内存业务副总裁 Kim Jae-june 在第三季度财报公布后召开的电话会议上表示:“目前,我们正在量产 8 层和 12 层 HBM3E 产品。”
据他所说,该公司在满足“主要客户”的质量测试要求方面取得了“有意义的进展”。该客户很显然指的是英伟达。
他还表示:“我们正在向多个客户扩大 8 层和 12 层 HBM3E 芯片的销售。我们正在努力改进我们的 HBM3E,以符合一家大客户的下一代 GPU 计划。”
此外,三星还表示该公司正在开发第 6 代 HBM4 产品,计划从明年下半年开始批量生产。
目前,三星电子 HBM3E 产品完全依赖于其 14nm 级(电脑系统网注:即 1a nm)DRAM,而另外两家主要 HBM 内存企业 SK 海力士与美光的产品则基于 1b DRAM,三星天然存在相对工艺劣势。
此外三星电子在其 12nm 级(1b nm)DRAM 的最初设计中并未考虑到 HBM 领域的用途,因此三星无法立即调整 HBM3E 内存的 DRAM Die 选用。
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