TrendForce：三大内存原厂将于 20 层堆叠 HBM5 全面应用混合键合工艺

电脑系统网 10 月 30 日新闻，分析机构 TrendForce 集邦咨询表示，三大 HBM 内存巨头对堆叠高度有限，I/O 在考虑密度、散热等要求时，已确定 HBM5 20hi(计算机系统网注: 20 世代使用混合键合堆叠 Hybrid Bonding 技术。

该机构认为，在 HBM4、HBM4e 两代产品上 SK 三家企业将推出海力士、三星电子和美光 12hi、16hi 版本满足不同容量的需求，其中 12hi 该产品将继续使用现有的微凸块键合技术，16hi 产品技术路线尚未确定。

此外，英伟达的未来 AI GPU 将与 HBM5 内存以 3D 堆叠而不是现有的 2.5D 形式集成。

该机构表示，无凸块的混合键合技术可以容纳更多的堆叠层和更厚的晶粒厚度，以改善翘曲问题，提高芯片传输速度，具有更好的散热性能，但也需要克服颗粒控制等技术问题。

在 HBM4(e)16hi 产品中是否使用混合键合是一个两难的问题：提前引入混合键合可以尽快体验新堆叠技术的学习曲线，以确保 HBM5 20Hi 批量生产顺利，但也意味着额外的设备投资，微凸块键合积累的技术优势也将部分损失。

需要混合键合 WoW(晶圆对晶圆)模式的堆叠不仅对前端生产率提出了更高的要求，也意味着第一层(也是每一层)DRAM 芯片的尺寸应与底部相同 Base Die 相同。

而 HBM 内存的 Base Die 台积电正走向外部化、定制化，同时具有先进性 Base Die 生产与 WoW 具有堆叠能力的企业有望更深入地参与 HBM 从而改变生产 HBM 先进的封装链商业模式。

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