苹果迎接 AI 浪潮，酝酿为 iPhone 改用 QLC NAND：存储上限至 2TB

电脑系统网 7 月 25 日消息，集邦咨询 7 月 22 日发布市场研究报告，透露苹果正在酝酿使用 QLC NAND 闪存，最早 2026 年用于 iPhone 在产品中，将其存储上限达到 2TB。

TLC 的全称是 Triple Level Cell(三层单元)，进一步增加存储密度，每个存储单元存储三位信息。

TLC NAND 成本甚至低于 MLC NAND，使其成为消费电子产品和主流产品 SSD 有吸引力的选择。

QLC 的全称是 Quad-level cells(四层单元)，每个单元都可以存储 4bit 数据，跟 TLC 相比，QLC 储存密度增加了 33%。

QLC NAND 通常用于入门级消费者固态硬盘和大容量存储应用，QLC NAND 耐久性最低，通常 P / E Cycle（Program Erase Cycle）在 100 到 1000 之间。

制造商实施先进的错误校正机制，预留配置（OP）和 Wear leveling 保持可靠性。

虽然 QLC NAND 密集型工作负载可能不适合写入，但它为日常使用提供了足够的存储容量，使固态硬盘在更广泛的用户范围内触手可及。

苹果计划最早披露苹果计划的信息 iPhone 14 系列上采用 QLC NAND，今年计算机系统网 1 苹果可能会在月报中 iPhone 16 Pro 系列上采用 QLC NAND。

据估计，苹果正在加速其集邦咨询 QLC NAND 更换，将内置存储的上限提高到 2TB。

但需要注意的是，虽然 QLC 的密度比 TLC 高，但速度比后者慢；而且单个单元中的单元比较多，耐久性差，这意味着它们可以处理的写入周期比后者慢 TLC 少。

苹果仍在探索如何使用它 NAND 闪存而不是存储大型语言模型的内存（LLMs），因此，它可以在本地运行更多 AI 因此，任务过渡到 QLC NAND 可能有助于改进 Apple Intelligence 的表现。

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