目标 2026 年量产，初探台积电背面供电半导体技术：最直接高效，但生产难度、成本高

电脑系统网 7 月 4 日信息，依据工商时报报导，台积电给出了更优质的反面供电互联网（BSPDN）解决方法，所使用方法最直观、高效率，但代价是生产制造复杂和价格昂贵。

因为晶体管愈来愈小，相对密度愈来愈高，层叠叠加层数也越来越多了，所以想要为晶体管供电和传送数据数据信号，必须越过 10-20 层局部变量，大大提升了线路设计的复杂性。

反面供电技术（BSPDN）将原先和晶体管一同排列的供电互联网直接转移到晶体管的背部再次排列，都是晶体管三维结构上的一种自主创新。

该技术能够有所增加利用系数内晶体管密度与此同时，防止晶体管和电源互联网间的电磁干扰，缓解配电线路后端的走线堵塞强调指出供电源性能特点，提高处理芯片的稳定性。

反面供电的关键就是必须打磨抛光晶圆（wafer）反面，使其薄到接近能够触碰电晶体，但是同时，这样会让晶圆刚度受到影响，所以必须在晶圆正脸引线键合一片媒介晶圆（carrier wafer），来承载反面生产流程。

同时在 nTSV（纳米硅破孔）制造过程中，为要保证纳米孔内铜金属施胶匀称，也需要大量机器设备帮助检验。

电脑系统网查询公开信息，全世界反面供电互联网技术现在有 3 种解决方法：

英特尔的 PowerVia

丹麦微电子技术研究所（imec）的 Buried Power Rail

台积电的 Super PowerRail

晶体管由四个主要部件构成，包含源极、汲极、专用通道闸极。源极是电流量注入晶体管的通道，而汲极是出入口；专用通道栅压依次负责协调电子的运动。

台积电的 A16 连接点制造技术里的电力工程同轴电缆相互连接到源极和汲极，因而会比英特尔的反面供电技术更复杂。台积电表明，其决定采用更复杂的设计主要原因是有利于提升顾客芯片效率。

台积电认为在同样工作标准电压（Vdd）下，应用 Super PowerRail 的 A16 连接点计算速度会比 N2P 快 8~10%；同样计算速度下，功能损耗减少 15%~20%，处理芯片相对密度提高达到 1.10 倍。

台积电所使用方法最直观、合理，但代价是生产制造复杂和价格昂贵。为体现使用价值，台积电在价格方面也作出调整，据了解先进制程部分已取得成功价格上涨，并且在来年 1 月逐渐价格上涨，特别针对 3nm / 5nm AI 产品系列，调节 5%～10%。

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